電源管理芯片IC的MOS管工作原理
發(fā)布日期:2020-03-04
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電源管理芯片IC的MOS管工作原理：MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管，導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，因此具有很高的輸入電阻。
MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
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