硬件工程師常識(shí)一
發(fā)布日期:2024-07-11
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1. NMOS與PMOS的區(qū)別；
極性：NMOS是n溝道MOSFET，PMOS是p溝道MOSFET。
導(dǎo)通性：NMOS在正電壓下導(dǎo)通，PMOS在負(fù)電壓下導(dǎo)通。
電流流動(dòng)方向：在導(dǎo)通狀態(tài)下，NMOS中的電流從漏極流向源極，而PMOS中的電流從源極流向漏極。
邏輯電平：在CMOS電路中，NMOS在邏輯高電平時(shí)導(dǎo)通，PMOS在邏輯低電平時(shí)導(dǎo)通。
功耗：NMOS在導(dǎo)通狀態(tài)下消耗較小的功率，而PMOS在導(dǎo)通狀態(tài)下消耗較大的功率。
響應(yīng)速度：NMOS的導(dǎo)通速度較快，適用于高頻應(yīng)用；PMOS的導(dǎo)通速度較慢，適用于低功耗應(yīng)用。
驅(qū)動(dòng)能力：NMOS具有較低的輸出電阻和較高的驅(qū)動(dòng)能力，適合用于驅(qū)動(dòng)低電平信號(hào)；PMOS具有較高的輸出電阻和較低的驅(qū)動(dòng)能力，適合用于驅(qū)動(dòng)高電平信號(hào)。
2. 電路時(shí)間常數(shù)的物理意義；
描述電路過(guò)渡過(guò)程的快慢和能量衰減的速度，是電路分析和設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要參數(shù)。
3. LDO電源效率的計(jì)算；
效率 = VOUT /VIN × 100%
4. AD轉(zhuǎn)換的精度由什么影響？什么樣的AD轉(zhuǎn)換速度最快？
AD轉(zhuǎn)換器的精度受到多個(gè)因素的影響，包括參考電壓的穩(wěn)定性、量化噪聲、抖動(dòng)、線性度、溫度漂移等因素。
其中參考電壓的穩(wěn)定性是AD轉(zhuǎn)換器精度的重要因素，參考電壓越穩(wěn)定，AD轉(zhuǎn)換器的精度就越高。
量化噪聲和抖動(dòng)也是影響AD轉(zhuǎn)換器精度的關(guān)鍵因素，這兩個(gè)因素會(huì)導(dǎo)致ADC輸出數(shù)據(jù)的誤差。
轉(zhuǎn)換速度最快的AD轉(zhuǎn)換器是并行式A/D轉(zhuǎn)換器。
5. BOOST電路SW施加電壓計(jì)算；
首先我們看boost電路簡(jiǎn)化框圖，從boost工作原理中我們知道當(dāng)SW開(kāi)關(guān)閉合的時(shí)候，電感L充電，此時(shí)Vsw=0V，當(dāng)SW開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的時(shí)候，電感和Vin同時(shí)給負(fù)載供電，Vsw=Vin+VL=Vout+Vd。
6. 互連鏈路阻抗特性；
互連鏈路的阻抗特性是指信號(hào)在傳輸過(guò)程中遇到的電阻和電抗的總和。
7. SRAM的地址線和傳輸線計(jì)算
地址線的數(shù)量決定了SRAM芯片的存儲(chǔ)容量。具體來(lái)說(shuō)，SRAM芯片的存儲(chǔ)容量等于2的n次方，其中n是地址線的數(shù)量。例如，一個(gè)具有16根地址線的SRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為2^16 = 64KB；
數(shù)據(jù)線的數(shù)量決定了每次傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，即數(shù)據(jù)總線的位寬。例如，一個(gè)具有16根數(shù)據(jù)線的SRAM芯片，其數(shù)據(jù)總線位寬為16位，可以一次傳輸2個(gè)字節(jié)（16位）的數(shù)據(jù)。
8. 傳輸線損耗由哪幾部分組成？
導(dǎo)體損耗、介質(zhì)損耗、輻射損耗等
9. DMA和中斷的引發(fā)；
DMA的主要作用是實(shí)現(xiàn)內(nèi)存與外設(shè)之間、外設(shè)與外設(shè)之間或內(nèi)存與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)快速批量傳輸，而無(wú)需CPU的干預(yù)?？梢酝ㄟ^(guò)軟件請(qǐng)求、硬件觸發(fā)、定時(shí)器觸發(fā)等方式引發(fā)DMA;
中斷允許MCU或者CPU在處理當(dāng)前任務(wù)的同時(shí)，響應(yīng)外部或內(nèi)部事件，可以通過(guò)外部信號(hào)、內(nèi)部定時(shí)、軟件觸發(fā)等方式引發(fā)中斷。
10. EMC指標(biāo)由哪幾部分組成；
主要由電磁干擾（EMI）和電磁耐受性（EMS）組成，分別評(píng)估設(shè)備在電磁環(huán)境中的發(fā)射能力和對(duì)外部電磁干擾的耐受能力。
11. TCP/IP協(xié)議的層數(shù)；
應(yīng)用層、傳輸層、網(wǎng)絡(luò)層、數(shù)據(jù)鏈路層、物理層
12. SD3.0接口電壓標(biāo)準(zhǔn)？
SD3.0接口信號(hào)電平可以是3.3V或1.8V。
13. RS-232C的硬件接口組成；
DB25連接器定義了25根信號(hào)線，分為4組：
①異步通信的9個(gè)電壓信號(hào)（含信號(hào)地SG）2，3，4，5，6，7，8，20，22
②20mA電流環(huán)信號(hào) 9個(gè)（12，13，14，15，16，17，19，23，24）
③空6個(gè)（9，10，11，18，21，25）
④保護(hù)地（PE）1個(gè)，作為設(shè)備接地端（1腳）
14. 眼圖的功能
眼圖可以?來(lái)分析?速信號(hào)的碼間?擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。
15. 差模干擾的消除方法
差模干擾不可能被完全消除，只能通過(guò)差模信號(hào)隔離、加濾波電路、屏蔽、優(yōu)化接地設(shè)計(jì)等方法抑制。
16. 開(kāi)關(guān)電源的基本框圖和 LDO 的基本框圖并且描述區(qū)別
開(kāi)關(guān)電源可以升壓和降壓、紋波較大、轉(zhuǎn)化效率高；LDO只能降壓，紋波低、電源抑制比高、轉(zhuǎn)化效率低；
BUCK電路框圖
BOOST電路框圖
LDO電路框圖
17. 畫(huà)出BUCK電路功能框圖，并描述電路損耗主要在哪里？
導(dǎo)通時(shí)，損耗主要由MOS管Q、L和C產(chǎn)生，MOS管導(dǎo)通電阻Rdson與L、C的交直流阻抗(jwL+1/jwc+DCR)損耗之和。
截止時(shí)，損耗主要由二極管D、L和C產(chǎn)生,二極管的壓降（ΔU*I）與L、C的交直流阻抗損耗之和。
開(kāi)關(guān)瞬間，如下圖所示，Ton時(shí)主要由MOS管開(kāi)通損耗與二極管的關(guān)斷損耗之和；Toff時(shí)，主要是MOS管關(guān)斷損耗(波形與MOS管打開(kāi)時(shí)相反)。
18. stm32最小系統(tǒng)？
電源電路、復(fù)位電路、晶振電路、調(diào)試接口電路、啟動(dòng)電路
19. 電容電阻參數(shù)怎么選擇？
電容：容值、額定電壓、公差、溫度參數(shù)看材料、壽命、尺寸
電阻：阻值、功率、精度、溫度系數(shù)、封裝尺寸
ps：本文部分信息來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有問(wèn)題請(qǐng)聯(lián)系，謝謝。
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